FQU13N10TU
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQU13N10TU |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10A IPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQU1 |
FQU13N10TU Einzelheiten PDF [English] | FQU13N10TU PDF - EN.pdf |
FAIRCHILD TO-251
FQU13N10 F
MOSFET P-CH 60V 12A IPAK
FQU13N10L @@@@@ FAIRC
FAIRCHILD TO-251
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FQU17P06 FAIRCHI
VBsemi TO252
F TO-251
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
FQU13N10L FAIRCHI
FQU13N10 @@@@@ FAIRC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
FQU17N08L VB
F TO-251
FAIRCHI TO-251
ON TO251-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() FQU13N10TUonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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